光纖預制棒

技術特點

火焰水解法制備高純度合成石英

在潔淨廠房内，将高規格四氯化矽（SiCl₄）在氫氧焰中水解生成亞微米二氧化矽（SiO₂）顆粒，一個或者

多個用于反應地噴燈将亞微米顆粒堆積成柱狀粉末體（soot），精确的火焰溫度控制和摻雜工藝實現柱體

徑向合軸向均勻的密度分布合預訂的折射率分布。

粉末體在氯氣（Cl2）合氦氣（He）的加熱爐内被充分脫水除雜，然後燒結成高純度透明玻璃預制棒。

氣相軸向沉積工藝制備芯棒            

 軸向生長粉末體，燒結時無中心縮合孔，具備四大工藝中最低的羟基含量，可制備零水峰光纖；

氟摻雜工藝，降低芯層二氧化鍺含量, 具備更低的本征損耗

自主知識産權多噴燈技術，豐富折射率剖面設計，可制備G652，G657以及G655系列光纖。

外部氣相沉積工藝制備包層

高沉積速率，大尺寸。

延伸技術

 實現預制棒芯棒芯，包層直徑的精确控制，光纖幾何，光學指标同一性更好。

産品種類

 具有滿足G. 652 D,G657A1, G657A2 以及G655拉絲生産的光纖預制棒系列。

關鍵技術指标

具有不同平均外徑和有效長度的光纖預制棒，平均外徑從90～200mm, 有效長度從1000mm到3000mm；

光纖産品指标達到并優于ITU-T标準；

VAD芯棒技術使光纖在1383nm基本無附加吸收，達到零水峰光纖制作要求。